激光元件 光电二极管
与光电倍增管类似，雪崩光电二极管 (APD) 用于检测极弱的光强度。 Si APD 用于 250 至 1100 nm 的波长范围，InGaAs 用作 1100 至 1700 nm 波长范围的 APD 中的半导体材料。 PIN 光电二极管将光转换为电流——无需施加偏置电压。 硅通常用作可见光范围内的廉价检测器材料。 对于更高的要求，使用 InGaAs； 它涵盖了从 Vis 到 NIR 的最宽光谱范围。 我们提供碳化硅作为专门用于紫外线范围的“日盲”检测器。 Wavelength Opto-Electronic 是 LASER COMPONENTS 品牌光电二极管的合作伙伴 新加坡.
- 硅APD
Si-APD 适用于 225nm 至 1100nm 的光谱范围。
- 用于光子计数的硅 APD
SAP 系列硅雪崩光电二极管主要用于光子计数。 该系列具有最高的效率和最低的暗电流率。
- 硅 APD 紫外线敏感
该检测器专为（生物）医学应用而开发，在这些应用中，必须检测短波紫外线/蓝色光谱范围内的最小信号。
- InGaAs APD
我们的 InGaAs 雪崩光电二极管 (APD) 专为 1100 nm 至 1700 nm 的光谱范围而设计。 IAG系列产品信噪比特别好，支持放大30倍以上。
- 硅 APD 阵列
APD 阵列现在可从 Laser Components 获得，从而支持 LIDAR 和 ACC 中的新应用。
- APD接收器
APD 带有匹配的集成前置放大器，采用紧凑的密封封装。
- APD模块
快速可靠的光检测。 在 APD 模块中，已经包含用于操作雪崩光电二极管的驱动程序。
- APD 高压模块
使用 LASER COMPONENTS 的廉价块模块，可以很容易地提供高达几 1,000 V 的电压。
- InGaAs 引脚光电二极管
强调量子效率的红外光电二极管：LASER COMPONENTS 开发和制造光谱范围高达 2600 nm 的光电二极管。
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