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Cristaux laser

Les cristaux laser sont des matériaux à l'état solide qui sont utilisés comme milieu actif dans les systèmes laser. Ils sont généralement constitués d'un matériau hôte dopé avec de petites quantités d'une terre rare spécifique, d'un métal de transition ou d'un autre élément capable d'amplifier la lumière. Les éléments dopants utilisés dans les cristaux laser sont choisis en fonction de leur capacité à absorber et à émettre de la lumière à des longueurs d'onde spécifiques, ce qui les rend idéaux pour les applications laser.

RéférenceLC-YVO4RéférenceLC-GdVO4RéférenceLC-YAGRéférenceLC-Ti-Saphir
Structure en cristalZircon tétragonalStructure en cristalTétragonaleStructure en cristalCubicFormule chimiqueTi3+ : Al2O3
Paramètre de cellulea=b=7.1193A°, c=6.2892A°Groupe EspaceI41/amdConstante de réseau12.01AoStructure en cristalHexagonal
Densité4.22g / cm3Le paramètre de mailleun = 0.721 nm, b = 0.635 nmPoint de fusion1970oCConstantes de réseau
a = 4.758A°, c = 12.991A°
Densité atomique1.26 x 1020 atomes/cm3Transition durable4F3/2 → 4I11/2Densité4.5g / cm3Densité3.98g / cm3
Dureté de Mohs4-5 (ressemblant à du verre)Longueur d'onde laser1062.9nmRéflectivité1.82Point de fusion2040 ° C
Coefficient de dilatation thermique (300K)αa = 4.43 x 10-6/K
αc = 11.37 x 10-6/K
Section efficace d'émission (à 1064 nm)7.6x10-19cm2Coefficient de dilatation thermique7.8 x 10-6 /K <111>, 0-250°CDureté de Mohs9
Coefficient de conductivité thermique (300K)//C : 0.0523 W/cm/K
⟘C : 0.0510 W/cm/K
Section efficace d'absorption (à 808 nm)4.9x10-19cm2Conductivité thermique (W/m/K)14, 20°C
10.5, 100°C
Conductivité thermique52W/m/k
Longueur d'onde laser1064nm, 1342nmCoefficient d'absorption (à 808 nm)74cm-1Dureté de Mohs8.5Chaleur spécifique0.42J/g/K
Coefficient optique thermique (300K)dno/dT = 8.5 x 10-6/K
dne/dT = 2.9 × 10-6/K
Indice de réfractivité (à 1064nm)non = 1.972, ne = 2.192Section efficace d'émission stimulée2.8x10-19cm-2Action laser
Vibronique à 4 niveaux
Section efficace d'émission stimulée25x10-19cm2 à 1064nmConductivité thermique (<110>)11.7 W/m/KTemps de relaxation du niveau de laser terminal30nsDurée de vie de la fluorescence3.2μs (T=300K)
Durée de vie fluorescente90μs (1% dopé Nd)Densité5.47g / cm3Durée de vie radiative550μsPlage de réglage660-1050nm
Coefficient d'absorption31.4 cm-1 à 810 nmNiveau de dopant Nd (atomique)0.1%, 0.2%, 0.3%, 0.5%, 0.7%, 1.0%…Fluorescence spontanée230μsPlage d'absorption400-600nm
Perte intrinsèque0.02 cm-1 à 1064 nm
 
Largeur de ligne0.6nmPic d'émission795nm
Gagner de la bande passante0.96 nm à 1064 XNUMX nmCoefficient de perte0.003 cm-1 à 1064 nmPic d'absorption488nm
Émission de base polariséepolarisation π ; parallèle à l'axe optique (axe c)
 
Indice de réfraction1.76 à 800nm
Efficacité optique à optique pompée par diode>60%Section transversale maximale
3~4 x 10-19cm2
Équations de Sellmeier (λ en μm)no2 = 3.77834 + 0.069736/(λ2- 0.04724) – 0.010813λ2
ne2 = 4.59905 + 0.110534/(λ2- 0.04813) – 0.012676λ2
Dilatation thermique8.40 x 10-6/°C

Informations sur les cristaux laser

Cristal

Nd:GdVO4

Nd:YVO4

Structure cristalline, groupe spatial

Tétragonal, I41/amd

Tétragonal, I41/amd

Constantes de réseau (nm)

a:

0.721

a:

0.721

b:

0.635

b:

0.629

Température de fusion (°C)

1780

1825

Dilatation thermique @ 25°C, x 10-6/°C

A

1.5

a

4.43

B

7.3

b

11.4

Chaleur spécifique à 25 °C, cal/mol·K

32.6

24.6

dn/dT, x 10-6/°C

4.7

2.7

Cristal

Nd:YVO 4

Nd:GdVO 4

Nd: YAG

Longueurs d'onde laser

1064.3nm, 1342.0nm

1062.9nm, 1340nm

1064.2nm, 1338.2nm

Bande passante d'émission (largeur de raie à 1064 nm)

0.8nm

Pas de données

0.45nm

Section efficace du laser (section efficace d'émission à 1064 nm)

15.6 x 10⁻¹⁹ cm²

7.6 x 10⁻¹⁹ cm²

6.5 x 10⁻¹⁹ cm²

Polarisation

Parallèle à l'axe c

Parallèle à l'axe c

Non polarisé

Durée de vie radioactive (microsecondes) à 1 % de dopage Nd

~ 100 μs

~ 95 μs

230μs

Longueur d'onde de la pompe

808.5nm

808.4nm

807.5nm

Absorption maximale de la pompe à 1 % de dopage

~41 cm -1

~57 cm -1

 

Conductivité thermique, W/m/K

5.1

11.7

14

Gamme de concentration de dopage

0.1 to 3.0 %

0.1 to 3.0 %

0.1 to 2.0 %

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