โฟโต้ไดโอด ส่วนประกอบของเลเซอร์
เช่นเดียวกับโฟโตมัลติพลายเออร์ โฟโตไดโอดหิมะถล่ม (APD) ใช้เพื่อตรวจจับความเข้มของแสงที่อ่อนมาก Si APD ถูกใช้ในช่วงความยาวคลื่นตั้งแต่ 250 ถึง 1100 นาโนเมตร และ InGaAs ถูกใช้เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ใน APD สำหรับช่วงความยาวคลื่นตั้งแต่ 1100 ถึง 1700 นาโนเมตร โฟโตไดโอดแบบ PIN แปลงแสงเป็นกระแสไฟฟ้าโดยไม่ต้องใช้แรงดันไบอัส ซิลิคอนมักใช้เป็นวัสดุตรวจจับราคาไม่แพงในช่วง Vis สำหรับความต้องการที่สูงขึ้น จะใช้ InGaAs ครอบคลุมช่วงสเปกตรัมที่กว้างที่สุดตั้งแต่ Vis ถึง NIR เรานำเสนอซิลิกอนคาร์ไบด์ในฐานะเครื่องตรวจจับแบบ “ตาบอดพลังงานแสงอาทิตย์” โดยเฉพาะสำหรับช่วงรังสียูวี Wavelength Opto-Electronic เป็นหุ้นส่วนของโฟโต้ไดโอดยี่ห้อ LASER COMPONENTS สำหรับ สิงคโปร์.
- APD ของซิลิคอน
Si-APD เหมาะสำหรับช่วงสเปกตรัมตั้งแต่ 225nm ถึง 1100nm
- ซิลิคอน APDs สำหรับการนับโฟตอน
โฟโตไดโอดซิลิคอน avalanche ซีรีส์ SAP ใช้เป็นหลักในการนับโฟตอน ซีรีย์นี้มีประสิทธิภาพสูงสุดและอัตรากระแสไฟมืดต่ำที่สุด
- ซิลิคอน APDs ไวต่อรังสียูวี
เครื่องตรวจจับได้รับการพัฒนาโดยเฉพาะสำหรับการใช้งานทางการแพทย์ (ชีวภาพ) ซึ่งจำเป็นต้องตรวจจับสัญญาณที่เล็กที่สุดในช่วงสเปกตรัม UV/blue คลื่นสั้น
- InGaAs APD
โฟโตไดโอด (APD) InGaAs ของเราได้รับการออกแบบมาสำหรับช่วงสเปกตรัมตั้งแต่ 1100 นาโนเมตรถึง 1700 นาโนเมตร ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ IAG มีอัตราส่วนสัญญาณต่อสัญญาณรบกวนที่ดีและรองรับการขยายสัญญาณมากกว่า 30
- อาร์เรย์ซิลิคอน APD
อาร์เรย์ APD พร้อมใช้งานแล้วจากส่วนประกอบของเลเซอร์ ซึ่งเปิดใช้งานแอปพลิเคชันใหม่ใน LIDAR และ ACC
- เครื่องรับ APD
APD พร้อมปรีแอมพลิฟายเออร์ในตัวที่เข้าชุดกันในแพ็คเกจสุญญากาศขนาดกะทัดรัด
- โมดูล APD
การตรวจจับแสงที่รวดเร็วและเชื่อถือได้ ในโมดูล APD ไดรฟเวอร์สำหรับการสั่งงานโฟโตไดโอด avalanche รวมอยู่ด้วยแล้ว
- โมดูลไฟฟ้าแรงสูงสำหรับ APD
ด้วยโมดูลบล็อกราคาไม่แพงจาก LASER COMPONENTS จึงเป็นเรื่องง่ายมากที่จะจ่ายแรงดันไฟฟ้าสูงถึง 1,000 V หลายค่า
- โฟโตไดโอด InGaAs Pin
โฟโตไดโอด IR โดยเน้นที่ประสิทธิภาพเชิงควอนตัม: ส่วนประกอบของเลเซอร์พัฒนาและผลิตโฟโตไดโอดในช่วงสเปกตรัมสูงถึง 2600 นาโนเมตร
สำหรับสินค้าและข้อมูลเพิ่มเติม โปรดเยี่ยมชมเว็บไซต์ หลักของ เรา
