레이저 부품 포토다이오드
광전자 증배관과 유사하게 APD(Avalanche Photodiodes)는 극도로 약한 빛의 강도를 감지하는 데 사용됩니다. Si APD는 250~1100nm의 파장 범위에서 사용되고 InGaAs는 1100~1700nm의 파장 범위에서 APD의 반도체 재료로 사용됩니다. PIN 포토다이오드는 바이어스 전압을 인가할 필요 없이 빛을 전류로 변환합니다. 실리콘은 일반적으로 Vis 범위에서 저렴한 검출기 재료로 사용됩니다. 더 높은 요구 사항의 경우 InGaAs가 사용됩니다. Vis에서 NIR까지 가장 넓은 스펙트럼 범위를 포괄합니다. 당사는 특히 UV 범위를 위한 "태양광 블라인드" 감지기로 실리콘 카바이드를 제공합니다. Wavelength Opto-Electronic 는 포토다이오드의 LASER COMPONENTS 브랜드의 파트너입니다. Singapore.
- 실리콘 APD
Si-APD는 225nm ~ 1100nm의 스펙트럼 범위에 적합합니다.
- 광자 계수를 위한 실리콘 APD
SAP 시리즈 실리콘 애벌런치 포토다이오드는 주로 광자 계수에 사용됩니다. 이 시리즈는 가장 높은 효율과 가장 낮은 암전류율이 특징입니다.
- 실리콘 APD UV 민감성
검출기는 단파 UV/청색 스펙트럼 범위에서 가장 작은 신호를 검출해야 하는 (생물)의료 응용 분야를 위해 특별히 개발되었습니다.
- InGaAs APD
당사의 InGaAs 애벌런치 포토다이오드(APD)는 1100nm ~ 1700nm의 스펙트럼 범위용으로 설계되었습니다. IAG 시리즈 제품은 특히 우수한 신호 대 잡음비가 특징이며 30 이상의 증폭을 지원합니다.
- 실리콘 APD 어레이
이제 Laser Components에서 APD 어레이를 사용할 수 있으므로 LIDAR 및 ACC에서 새로운 애플리케이션을 사용할 수 있습니다.
- APD 수신기
콤팩트한 밀폐형 패키지에 일치하는 통합 전치 증폭기가 있는 APD입니다.
- APD 모듈
빠르고 안정적인 빛 감지. APD 모듈에는 눈사태 광다이오드를 작동하기 위한 드라이버가 이미 포함되어 있습니다.
- APD용 고전압 모듈
LASER COMPONENTS의 저렴한 블록 모듈을 사용하면 최대 수 1,000V의 전압을 매우 쉽게 공급할 수 있습니다.
- InGaAs 핀 포토다이오드
양자 효율에 중점을 둔 IR 포토다이오드: LASER COMPONENTS는 최대 2600nm의 스펙트럼 범위에서 포토다이오드를 개발 및 제조합니다.
더 많은 제품과 정보를 원하시면 당사 웹사이트를 방문하십시오.
