LASERKOMPONENTEN Fotodioden
Ähnlich wie Photomultiplier werden Avalanche-Photodioden (APDs) verwendet, um extrem schwache Lichtintensitäten zu detektieren. Si-APDs werden im Wellenlängenbereich von 250 bis 1100 nm und InGaAs als Halbleitermaterial in APDs für den Wellenlängenbereich von 1100 bis 1700 nm verwendet. PIN-Fotodioden wandeln Licht in Strom um – ohne dass eine Vorspannung angelegt werden muss. Silizium wird üblicherweise als kostengünstiges Detektormaterial im Vis-Bereich verwendet. Für höhere Anforderungen wird InGaAs verwendet; es deckt den breitesten Spektralbereich vom Vis bis zum NIR ab. Speziell für den UV-Bereich bieten wir Siliziumkarbid als „sonnenblinden“ Detektor an. Wavelength Opto-Electronic ist Partner der Fotodiodenmarke LASER COMPONENTS für Singapur.
- Silizium-APDs
Si-APDs sind für den Spektralbereich von 225nm bis 1100nm geeignet.
- Silizium-APDs für die Photonenzählung
Die Silizium-Avalanche-Fotodioden der SAP-Serie werden hauptsächlich in der Photonenzählung verwendet. Diese Serie zeichnet sich durch höchste Effizienz und niedrigste Dunkelstromraten aus.
- UV-empfindliche Silizium-APDs
Der Detektor wurde speziell für (bio)medizinische Anwendungen entwickelt, bei denen kleinste Signale im kurzwelligen UV/blauen Spektralbereich detektiert werden müssen.
- InGaAs-APDs
Unsere InGaAs-Avalanche-Photodioden (APDs) sind für einen Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm ausgelegt. Die Produkte der IAG-Serie zeichnen sich durch ein besonders gutes Signal-Rausch-Verhältnis aus und unterstützen eine Verstärkung von mehr als 30.
- Silizium-APD-Arrays
APD-Arrays sind jetzt bei Laser Components erhältlich und ermöglichen neue Anwendungen in LIDAR und ACC.
- APD-Empfänger
APDs mit angepasstem, integriertem Vorverstärker in kompakten hermetischen Gehäusen.
- APD-Module
Schnelle und zuverlässige Detektion von Licht. Bei APD-Modulen ist der Treiber zum Betrieb der Avalanche-Fotodioden bereits enthalten.
- Hochspannungsmodule für APD
Mit den preiswerten Blockmodulen von LASER COMPONENTS lassen sich ganz einfach Spannungen bis zu mehreren 1,000 V liefern.
- InGaAs-Pin-Fotodioden
IR-Fotodioden mit Schwerpunkt Quanteneffizienz: LASER COMPONENTS entwickelt und fertigt Fotodioden im Spektralbereich bis 2600 nm.
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